實驗設置了H2O、RPMI1640、DMEM(pH=7)3種溶液體系,比對不同的溶液對EGCG氧化聚合的影響。如圖1所示,在相同EGCG濃度下,RPMI1640、DMEM兩種培養(yǎng)基的OD578值極顯著高于H2O(P<0.001);對比兩種培養(yǎng)基,DMEM的OD578值高于RPMI1640,即三種溶液體系促進EGCG氧化聚合率的排序為:DMEM>RPMI1640>H2O。
實驗設置了37和74℃研究溫度對EGCG氧化聚合率的影響。如圖2所示,在以RPMI1640為溶液體系下,除最高EGCG濃度320μmol/L外,各濃度組74℃的氧化聚合率均顯著高于37℃(P<0.05),即高溫促進EGCG的氧化聚合。
小同濃度的EGCG(0、20、40、80、320μmol/L)分別以H20、RPMI1640、DMEM(pH=7)三種溶液體系,反應3、6、12、24h。結果顯示,以H20為溶液的各EGCG濃度組問無顯著差異(圖3i,i,k,1);以RPMI1640和DMEM為溶液體系的3h組,各濃度間也無顯著差異(圖3a,e),其余各組均隨著EGCG濃度的升高,OD578顯著上升(P<0.05)(圖3b,c,d,f,g,h),即高濃度促進EGCG的氧化聚合。
實驗設置了4個反應時問,探討時問對EGCG氧化聚合的影響。通過EGCG濃度及溶液環(huán)境對其自動氧化影響的結果顯示,培養(yǎng)液及高濃度的EGCG促進其氧化聚合,因此,對比了320μmol/L的EGCG在RPMI1640培養(yǎng)基中各時問點OD578的變化。如圖4顯示,12和24h的OD。極顯著高于3h(P<0.001),即在高濃度下,隨著作用時問延長,EGCG氧化聚合率顯著增加。
實驗設置了pH=5和9探討pH對EGCG氧化聚合的影響,選用RPMI1640和H20兩種溶液條件,37℃時分別比較了不同pH條件下的OD值變化。如圖5a所示,以RPMll640作為溶液環(huán)境,各濃度下兩種pH的OD578均有極顯著差異(P<0.001),pH=5時各濃度組OD。變化不顯著(P>0.05);pH=9時OD578隨著EGCG濃度的升高顯著增大(P<0.05)。當以H20作為溶液環(huán)境,pH=5各濃度OD578值均極顯著低于pH=9的OD578值(P<0.001),如圖5b,綜合各組結果,堿性環(huán)境較酸性環(huán)境促進EGCG的氧化聚合。
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